高汲取效率發光裝置
		專利名稱 Patent Title 高汲取效率發光裝置 專利證書號 Patent No. I271883 專利權人 Asignee 國立台灣科技大學 專利國家 Country 中華民國, 發明人 Inventor 蘇忠傑 應用領域 Application Area 電子(半導體)
	技術摘要： 本發明係有關一種發光裝置，其具有一基板及一包括一電激發光材料之發光層，其中該發光層(P-N接面)係被一P型包覆層(具有光可穿透之一P型電極層)以及一N型包覆層(具有光可穿透之一N型電極層)所包夾。該發光裝置之特徵為一光控制部份係配置於該發光裝置之一光射出表面上，該光控制部份至少包括一光穿隧層，該光穿隧層對於來自發光層之主要發光波長具有較該基板、該等包覆層及該等電極層之折射率為小之折射率。當由該發光層所發出之光以一大於臨界角之角度入射磊晶層與周圍介質之間之介面時，藉由光穿隧效應造成光汲取效率增加。來自光控制部份之穿隧光可以是偏極的，藉此，實際上可實現一偏極發光裝置。