形成多晶矽的氨電漿處理方法
		專利名稱 Patent Title 形成多晶矽的氨電漿處理方法 專利證書號 Patent No. 專利權人 Asignee 國利台灣科技大學 專利國家 Country 中華民國, 發明人 Inventor 范慶麟 應用領域 Application Area 電子(半導體)
	技術摘要： 本發明係提出一種形成多晶矽的氨電漿處理方法,其包括步驟形成一非晶矽於一基層上;曝露該非晶矽於氨電漿;投射準分子雷射於該非晶矽;以及退火該非晶矽而形成一多晶矽。