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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
黃柏仁, 朱瑾, 諶又瑄, 張家豪,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
中華民國 106108088 I605609 1050079TW0
美國 15/613,828 US9966490B1 1050079US0
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技術摘要:
本發明利用真空磁控濺鍍技術於基板表面個別濺鍍一層厚度3 nm之由Cu-Zr-Al-Ti合金組成之銅基金屬玻璃薄膜,之後沉積半導體金屬氧化物種子層,接著製作指叉式白金電極,最後成長半導體金屬氧化物奈米結構(氧化鋅奈米柱及奈米管)形成金屬-半導體-金屬型紫外光感測元件(量測條件為UV light:365 nm, 1 mW cm-2 , 5V)。氧化鋅奈米管較氧化鋅奈米柱擁有較大的比表面積與空乏區,進而使紫外光感測器之訊雜比提升,其訊雜比(光電流/暗電流)從252.8提升至2.03 × 103;若將金屬玻璃薄膜置於氧化鋅奈米結構底層,可以使其界面產生蕭特基能障接面,進而降低漏電流,因而有效地提升訊雜比,氧化鋅奈米柱/銅基金屬玻璃薄膜之訊雜比為9.16 × 103,氧化鋅奈米管/銅基金屬玻璃薄膜之訊雜比為1.99 × 104。最後藉由退火改變銅基金屬玻璃薄膜的特性之後成長氧化鋅奈米結構,與氧化鋅奈米柱相比,可以提升近800倍之訊雜比,氧化鋅奈米柱/退火150°C銅基金屬玻璃薄膜之訊雜比為2.45 × 104,氧化鋅奈米管/退火150°C銅基金屬玻璃薄膜之訊雜比為2 × 105。

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