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技術名稱
Technology
發明人
Inventor
葉秉慧, 許登坡, 邱彥傑,
所有權人
Asignee
國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
美國 16/541,156 申請中 1080033US0
 
點閱數:33
技術摘要:
以三族氮化物發光二極體磊晶結構的晶圓製作光電晶體的方法,可以只做光電晶體或與發光二極體積體化。特色是高響應率、低成本與可積體化。(This is a novel method to fabricate III-nitride phototransistors alone or integrated with light-emitting diodes on a light-emitting-diode epitaxial wafer. The advantages include high responsivity, low cost and capability of integration.)


 
   




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