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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
黃堯弘, 陳炤彰,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
中華民國 101139451 申請中 1010092TW0
  點閱數:1083

技術摘要:
於現今太陽能產業中,其矽晶圓之製造過程都不外乎長晶去頭尾開方線鋸切割清洗等製程,如Fig.1所示,其中線鋸切割製程為十分重要之製程,因此製程決定切割後之矽晶圓之厚度和表面品質,會決定後續製程之困難度和複雜性,於線鋸製程中,主要可分為游離磨料和固定磨料兩種,於現今大多量產之製程中,游離磨料較佔為大多數,因游離磨料擁有成本低和磨料可回收等優點,且切割出之表面形貌較符合後段太陽能模組之製程,但於現今游離磨料之製程當中,所使用之漿料為乙二醇(Ethylene Glycol)和碳化矽所混合而成,而通常漿料之黏度和乙二醇之化學成分可能會造成漿料披覆於線上之厚度有所不一,進而造成線鋸切割中之切口損失(kerf loss)不一,故本發明主要為利用一種電泳沉積之方式,並搭配懸浮液發展一電泳沉積輔助線鋸切割製程,達到漿料膜厚可控制,達到減少切口損失(Kerf Loss)和有效的增加漿料內之磨料之使用率.

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